蝕刻技術(shù)還可用在哪些方面？
發(fā)布人：管理員 發(fā)布日期：2021-03-26
大部份的蝕刻過程包含了一個(gè)或多個(gè)化學(xué)反應(yīng)步驟，各種形態(tài)的反應(yīng)都有可能發(fā)生，但常遇到的反應(yīng)是將待蝕刻層表面先予以氧化，再將此氧化層溶解，并隨溶液排出，如此反復(fù)進(jìn)行以達(dá)到蝕刻的效果。如蝕刻硅、鋁時(shí)即是利用此種化學(xué)反應(yīng)方式。
通?？山逵筛淖?nèi)芤簼舛燃皽囟扔枰钥刂啤Ｈ芤簼舛瓤筛淖兎磻?yīng)物質(zhì)到達(dá)及離開待蝕刻物表面的速率，一般而言，當(dāng)溶液濃度增加時(shí)，蝕刻速率將會提高。而提高溶液溫度可加速化學(xué)反應(yīng)速率，進(jìn)而加速蝕刻速率。
除了溶液的選用外，選擇適用的屏蔽物質(zhì)亦是十分重要的，它必須與待蝕刻材料表面有很好的附著性、并能承受蝕刻溶液的侵蝕且穩(wěn)定而不變質(zhì)。而光阻通常是一個(gè)很好的屏蔽材料，且由于其圖案轉(zhuǎn)印步驟簡單，因此常被使用。但使用光阻作為屏蔽材料時(shí)也會發(fā)生邊緣剝離或龜裂的情形。邊緣剝離乃由于蝕刻溶液的侵蝕，造成光阻與基材間的黏著性變差所致。解決的方法則可使用黏著促進(jìn)劑來增加光阻與基材間的黏著性，如Hexamethyl-disilazane (HMDS)。龜裂則是因?yàn)楣庾枧c基材間的應(yīng)力差異太大，減緩龜裂的方法可利用較具彈性的屏蔽材質(zhì)來吸收兩者間的應(yīng)力差。
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